بررسی تجربی، محاسباتی و شبیه‌سازی طیف‌های رامان نانولوله‌ی کربنی آلاییده به بور

Authors

  • حسین حسن‌بوذری دانشکده‌ی علوم پایه، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد تهران شمال
  • رسول ملک‌فر دانشکده علوم پایه، دانشگاه تربیت مدرس، تهران، ایران
  • عزیزاله شفیع‌خانی گروه فیزیک، دانشکده‌ی علوم، دانشگاه الزهراء، تهران، ایران
  • لاله فرهنگ‌متین دانشکده‌ی علوم پایه، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد تهران شمال
Abstract:

 با توجه به کاربردهای فراوان و مختلف نانولوله‌های کربنی آلاییده به بور، ارتعاشات مولکولی مرتبط با عنصر بور در نانو لوله‌ی کربنی آلاییده به بور به سه روش تجربی، محاسباتی و شبیه‌سازی شناسایی شد. در بررسی تجربی، طیف رامان نانولوله‌ی کربنی خالص و آلاییده به بور ثبت و مدهای حساس به رامان به ارتعاشات خاص ذیربط نسبت داده شد. در روش محاسباتی، بسامدهای ارتعاشی C-C و  C-B(زنجیره کربنی خالص و آلاییده به بور) با مدل نوسان‌گر هماهنگ ساده، شبیه‌سازی و جابه‌جایی بسامد ارتعاشی به بسامدهای کوچک‌تر مشاهده شد. در نهایت با روش شبیه‌سازی، بسامدهای ارتعاشی مولکول‌های کربن- کربن و کربن- بور با استفاده از نرم‌افزار گاوسی مورد مطالعه قرار گرفت. بسامد مد ارتعاشی D وقتی بور کم‌تر از 3 درصد باشد به مقدار 1-8cm به بسامدهای کوچک‌تر جابه‌جا می‌شود (1-1336cm-1→ 1328cm‌‌)‌‌. آلاییدگی نانولوله‌ی کربنی با درصدهای بین 4 تا 10 درصد بور، بسامد مد‌های ارتعاشی را به مقدار 18cm-1 به عددهای موج بالاتر جابه‌جا می‌کند (1328cm-1→1346cm-1‌‌). رابطه‌ی ID/IG (نسبت ترکیبات کربنی بی‌شکل و مواد غیرکربنی در ساختار گرافیتی نمونه) با میزان آلاییدگی نانولوله‌ی کربنی با بور افزایش می‌یابد(1.5→0.75). نتایج تغییرات شدت و بسامدهای مد‌های ارتعاشی D و G با دقت قابل قبولی با روش‌های تجربی، محاسباتی و شبیه‌سازی مورد تأیید قرار گرفت.

Upgrade to premium to download articles

Sign up to access the full text

Already have an account?login

similar resources

نانولوله‌های کربنی آلاییده به عناصر سه ظرفیتی با استفاده از طیف‌سنجی پس‌پراکندگی رامان

 In this paper by using DC arc discharge method and acetylene gas, as the carbon source, and nitrogen, as the carrier gas, canrbon nanotubes, CNTs, doped with trivalent element boron, B, have been produced. The deposited CNTs on the cathod electrod, which have structural doped properties to boron element, have been collected and after purification have been investigated by back-scattering Raman...

full text

نانولوله های کربنی آلاییده به عناصر سه ظرفیتی با استفاده از طیف سنجی پس پراکندگی رامان

در این مقاله با استفاده از روش تخلیه قوس الکتریکی ( dc ) و با استفاده از گاز استیلن به عنوان منبع کربن و گازحامل نیتروژن, نانو لوله های کربنی آلاییده به عنصر سه ظرفیتی بور تولید شده است. نمونه های نانو لوله های کربنی نشست یافته بر روی الکترود کاتد را که دارای خاصیت آلاییدگی ساختاری به عنصر بور بودند, جمع آوری و پس از خالص سازی با استفاده از طیف سنجی پس پراکندگی رامان مورد مطالعه و بررسی قرار گر...

full text

تاثیرات آلاییدگی نانولوله کربنی به عنصر بور از نگاه طیف سنجی و رسانندگی الکتریکی (حسین حسن بوذری1* ، لاله فرهنگ متین2 ، رسول ملک فر3 ، عزیزاله شفیع خانی4)

دراین پژوهش با توجه­به کاربردهای فراوان نانولوله­های­کربنی درقطعات نانویی الکترونیک، طیف سنجی پراکندگی رامان نانولوله­های کربنی ­بررسی­شده است. در ابتدا به­صورت تجربی طیف رامان نانولوله کربنی خالص وآلاییده مورد بحث قرارگرفته و سپس طیف شبیه سازی نظری بیان­شده و نتایج مقایسه­شده­است.     با­توجه­به طیف­های به­دست­­آمده، در مقایسه با داده­های تجربی تطابق خوبی مشاهده شده­است. درنانولوله­کربنی­خالص،...

full text

بررسی تجربی استفاده از طیف‌سنجی رامان در تشخیص سرطان

در این تحقیق به بررسی بافتهای سرطانی چندین اندام بدن با استفاده از طیف‌سنجی رامان لیزری پرداخته‌ایم. در این راستا نمونه‌های مختلف بافتی با تشخیص‌های پاتولوژیک متفاوت (سالم و سرطانی) از یک آزمایشگاه پاتولوژی به امانت گرفته و با دو سیستم طیف‌سنجی رامان بررسی شدند. از آنجایی که یکی از اهداف این مطالعه مستقل ساختن تشخیص از نوع سیستم طیف‌سنجی است؛ الگوریتم‌هایی برای حذف تفاوتهای سیستمیک در طیف‌های ب...

full text

مقایسه تأثیر وضعیت طاق باز و دمر بر وضعیت تنفسی نوزادان نارس مبتلا به سندرم دیسترس تنفسی حاد تحت درمان با پروتکل Insure

کچ ی هد پ ی ش مز ی هن ه و فد : ساسا د مردنس رد نامرد ي سفنت سرتس ي ظنت نادازون داح ي سکا لدابت م ي و نژ د ي سکا ي د هدوب نبرک تسا طسوت هک کبس اـه ي ناـمرد ي فلتخم ي هلمجزا لکتورپ INSURE ماجنا م ي دوش ا اذل . ي هعلاطم ن فدهاب اقم ي هس عضو ي ت اه ي ندب ي عضو رب رمد و زاب قاط ي سفنت ت ي هـب لاتـبم سراـن نادازون ردنس د م ي سفنت سرتس ي لکتورپ اب نامرد تحت داح INSURE ماجنا درگ ...

full text

مدل بسته جریان - ولتاژ در ترانزیستورهای نانولوله کربنی آلاییده

In this paper a compact current-voltage model for MOSFET-like Carbon Nanotube Field Effect Transistors (MOSFET-like CNFET) is presented. To model these devices the one-dimensional drain/source current equation obtained from Landauer approach must be solved self-consistently with the equation relates the Fermi surface and carrier concentration. Also, numerically solve of the integral over densit...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


Journal title

volume 39  issue جلد 84

pages  32- 41

publication date 2018-08-23

By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.

Keywords

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023